Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 470 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH203 Nej BSH203,215
- RS-varenummer:
- 725-8366
- Producentens varenummer:
- BSH203,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 28,50
(ekskl. moms)
Kr. 35,62
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 2.560 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 1,425 | Kr. 28,50 |
| 40 - 80 | Kr. 1,282 | Kr. 25,64 |
| 100 + | Kr. 1,14 | Kr. 22,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8366
- Producentens varenummer:
- BSH203,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 470mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | BSH203 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417mW | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 470mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie BSH203 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417mW | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia P-Kanal 470 mA 30 V SOT-23 BSH203,215
- Nexperia P-Kanal 230 mA 30 V SOT-23 NX3008PBK,215
- Nexperia P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 BSS84,215
- Nexperia P-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 BSH201,215
- Nexperia P-Kanal 180 mA 50 V SOT-23 BSS84AK,215
- Nexperia N-Kanal 850 mA 30 V SOT-23 BSH103,215
- Nexperia N-Kanal 400 mA 30 V SOT-23 NX3008NBK,215
- DiodesZetex P-Kanal 580 mA 30 V, SOT-23 DMP31D7LQ-7
