Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH201
- RS-varenummer:
- 725-8348
- Producentens varenummer:
- BSH201,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 77,18
(ekskl. moms)
Kr. 96,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 80 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.520 enhed(er) afsendes fra 16. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 140 | Kr. 3,859 | Kr. 77,18 |
| 160 - 740 | Kr. 3,473 | Kr. 69,46 |
| 760 + | Kr. 3,088 | Kr. 61,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-8348
- Producentens varenummer:
- BSH201,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | BSH201 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie BSH201 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, BSH201
- Nexperia Type P-Kanal 3.9 A 20 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type P-Kanal 470 mA 30 V Forbedring SOT-23, BSH203
- Nexperia Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV48XP
- Nexperia Type P-Kanal 4 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV32UP
- Nexperia Type P-Kanal 1.2 A 20 V Forbedring SOT-23, PMV160UP
- Nexperia Type P-Kanal -3.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -5.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
