Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 124,70

(ekskl. moms)

Kr. 155,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 2,494Kr. 124,70
100 - 200Kr. 2,427Kr. 121,35
250 - 450Kr. 2,362Kr. 118,10
500 - 1200Kr. 2,301Kr. 115,05
1250 +Kr. 2,244Kr. 112,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
217-2500
Producentens varenummer:
IPAN70R600P7SXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.5A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-220

Serie

CoolMOS

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

82W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20.5nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

29.87mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.8 mm

Længde

16.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Ved at kombinere kundernes feedback med mere end 20 års superjunction MOSFET-oplevelse giver 700V CoolMOS™ P7 den bedste pasform til målanvendelser med hensyn til: Effektivitet og varmestyring brugervenlighed EMI-adfærd.

Ekstremt lav FOM R DS(til) x E oss; Sænk Q g, E til og E fra

Højtydende teknologi

Lavt skiftetab (E oss)

Meget effektiv

Fremragende termisk ydelse

Mulighed for skift ved høj hastighed

Integreret zenerdiode-beskyttelse

Optimeret V (GS) TH på 3 V med meget smal tolerance på ±0,5 V.

Fint inddelt portefølje

Relaterede links