Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 700 V, 3 Ben, TO-220, CoolMOS Nej IPP65R190CFD7XKSA1
- RS-varenummer:
- 236-3668
- Producentens varenummer:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 118,34
(ekskl. moms)
Kr. 147,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 23,668 | Kr. 118,34 |
| 25 - 45 | Kr. 20,824 | Kr. 104,12 |
| 50 - 120 | Kr. 19,628 | Kr. 98,14 |
| 125 - 245 | Kr. 18,222 | Kr. 91,11 |
| 250 + | Kr. 16,816 | Kr. 84,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-3668
- Producentens varenummer:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integreret hurtig husdiode er det perfekte valg til resonante topologier med høj effekt. Den er ideelt egnet til industrielle anvendelser, f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-opladningsstationer, hvor det muliggør betydelige effektivitetsforbedringer i forhold til konkurrenterne. Den har en drænstrøm på 12 A.
Fremragende robust hårdkommuteret
Ekstra sikkerhedsmargen for konstruktioner med øget buspænding
Giver øget effekttæthed
Enestående effektivitet ved let belastning i industrielle SMPS-anvendelser
Forbedret effektivitet ved fuld belastning i industrielle SMPS-anvendelser
Priskonkurrenceevne i forhold til alternative tilbud på markedet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 12 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R190CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 15 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R155CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 25 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R090CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 41 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R225C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 22 A 700 V TO-220, CoolMOS™ IPP65R110CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 13 A 700 V TO-220, CoolMOS™ C7 IPP65R190C7FKSA1
- Infineon N-Kanal 46 A 700 V TO-220, CoolMOS™ C7 IPP65R045C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 6 A 700 V TO-220 FP, CoolMOS™ IPA70R900P7SXKSA1