Infineon N-Kanal, MOSFET, 20 A 700 V, 3 ben, TO-220, CoolMOS E6 IPP65R190E6XKSA1

Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
857-6930
Producentens varenummer:
IPP65R190E6XKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

20 A

Drain source spænding maks.

700 V

Kapslingstype

TO-220

Serie

CoolMOS E6

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

190 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.5V

Mindste tærskelspænding for port

2.5V

Effektafsættelse maks.

151 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Antal elementer per chip

1

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

10.36mm

Transistormateriale

Si

Bredde

4.57mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

73 nC ved 10 V

Højde

15.95mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Infineon CoolMOS™ E6/P6 serien Power MOSFET


Infineon-sortimentet af CoolMOSE6 og P6 serien MOSFET'er. Disse meget effektive enheder kan bruges til flere formål, herunder effektfaktorkorrektion (PFC), belysning og forbrugerelektronik enheder samt solfangere, telekommunikation og servere.


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links