Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 217-2502
- Producentens varenummer:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 52,82
(ekskl. moms)
Kr. 66,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 380 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 2,641 | Kr. 52,82 |
| 100 - 180 | Kr. 2,566 | Kr. 51,32 |
| 200 - 480 | Kr. 2,499 | Kr. 49,98 |
| 500 - 980 | Kr. 2,431 | Kr. 48,62 |
| 1000 + | Kr. 2,375 | Kr. 47,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2502
- Producentens varenummer:
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 82W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.1mm | |
| Højde | 29.87mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 82W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.1mm | ||
Højde 29.87mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET-serien henvender sig til laveffekts SMPS-markedet, f.eks. mobiltelefonopladere eller notebook-adaptere, ved at tilbyde grundlæggende ydeevneforbedringer sammenlignet med de superjunction-teknologier, der anvendes i dag. Ved at kombinere kundernes feedback med mere end 20 års superjunction MOSFET-oplevelse giver 700V CoolMOS™ P7 den bedste pasform til målanvendelser med hensyn til: Effektivitet og varmestyring brugervenlighed EMI-adfærd.
Ekstremt lav FOM R DS(til) x E oss; Sænk Q g, E til og E fra
Højtydende teknologi
Lavt skiftetab (E oss)
Meget effektiv
Fremragende termisk ydelse
Mulighed for skift ved høj hastighed
Integreret zenerdiode-beskyttelse
Optimeret V (GS) TH på 3 V med meget smal tolerance på ±0,5 V.
Fint inddelt portefølje
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V N TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-251, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 8.5 A 700 V Forbedring TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Type N-Kanal 12 A 700 V TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 15 A 700 V TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 22 A 700 V TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 25 A 700 V TO-220, CoolMOS