Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 91,91

(ekskl. moms)

Kr. 114,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.955 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 18,382Kr. 91,91

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2510
Producentens varenummer:
IPB80N04S2H4ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Effektafsættelse maks. Pd

129W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon 40 V, N-CH, 3,7 MΩ maks., Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMO.

N-kanal - forbedringstilstand

Automotiv AEC Q101 kvalificeret

MSL1 op til 260 °C topreflow

175 °C driftstemperatur

Ultra lav Rds(til)

100 % lavine-testet

Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.