Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4679
- Producentens varenummer:
- IPD90N08S405ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 51,16
(ekskl. moms)
Kr. 63,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 11.390 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,232 | Kr. 51,16 |
| 50 - 120 | Kr. 9,724 | Kr. 48,62 |
| 125 - 245 | Kr. 9,514 | Kr. 47,57 |
| 250 - 495 | Kr. 8,812 | Kr. 44,06 |
| 500 + | Kr. 8,184 | Kr. 40,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4679
- Producentens varenummer:
- IPD90N08S405ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 144W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 144W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.9 A 80 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101