Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 93,35

(ekskl. moms)

Kr. 116,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.025 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 3,734Kr. 93,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
217-2530
Producentens varenummer:
IPD60R600P7SAUMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.73mm

Højde

2.41mm

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET er efterfølgeren til 600V CoolMOS™ P6 serien. Den afbalancerer fortsat behovet for høj effektivitet i forhold til brugervenligheden i designprocessen. Den bedste R onxA i klassen og den naturlige lave gate Charge (Q G) fra CoolMOS™ 7. Generation platformen sikrer dens høje effektivitet.

600 V P7 muliggør fremragende FOM R DS(ON) XE oss DS(ON) XQ GESD robusthed på ≥ 2 kV (HBM klasse 2)

Integreret gate-modstand R G

Diode med robust hus

Bredt sortiment i huse til hulmontering og overflademontering

Der fås både dele i standardkvalitet og industrikvalitet

Relaterede links