Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 140 A 30 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 217-2638
- Producentens varenummer:
- IRL3803STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 152,59
(ekskl. moms)
Kr. 190,74
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. juni 2028
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 15,259 | Kr. 152,59 |
| 50 - 90 | Kr. 14,489 | Kr. 144,89 |
| 100 - 240 | Kr. 13,898 | Kr. 138,98 |
| 250 - 490 | Kr. 13,284 | Kr. 132,84 |
| 500 + | Kr. 12,349 | Kr. 123,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2638
- Producentens varenummer:
- IRL3803STRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 140A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 15.88mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 140A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 15.88mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 30 V enkelt N-kanal IR MOSFET i et D2-Pak hus.
Planar cellestruktur for bred optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standarden
Silicium optimeret til anvendelser, der skifter under <100 kHz
Industristandard overflademonteret strømpakke
Hus med stor strømbelastningsevne (op til 195 A, afhængigt af størrelse)
Kan bølgelloddes
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 64 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 85 A 150 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 200 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 24 A 200 V HEXFET