Infineon N-Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

RS-varenummer:: 218-2989
Producentens varenummer:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Forbedring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 26.390,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.988,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 19. februar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 13,195	Kr. 26.390,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-2989
Producentens varenummer:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	260A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	HSOF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.9mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Driftstemperatur maks.	+175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype HSOF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Driftstemperatur maks. +175°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 100 V drain source-spænding, 260 A kontinuerlig drain-strøm - IAUT260N10S5N019ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til overflademonteret effektkobling i krævende miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til barske forhold, og er bygget til anvendelser, der kræver betydelig ledningsstrømshåndtering, tæt modstand ved tænding og robust gate-spændingstolerance.

Egenskaber og fordele:

• 1.9 mΩ Rds(on) giver reducerede ledningstab
• 260 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af høj strøm
• 100 V drain-source mærkeværdi understøtter midspændingssystemer
• ±20 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 300 W effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• 1.3 V fremadgående spænding minimerer diodeledningstab

Anvendelser

• Velegnet til motordrev og motordrev i biler
• Ideel til DC/DC-omformningsfaser med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med batteristyring og energilagringssystemer
• Kan bruges til strømfordeling i elektrificerede køretøjer
• Velegnet til overflademonterede enheder, der kræver kompakte effekt-MOSFET'er

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?

Den er specificeret til kontinuerlig brug fra -55 °C til +175 °C.

Hvilken pakke og monteringstype tilbydes til kompakte enheder?

Den leveres i en HSOF-pakke, der er beregnet til overflademontering med otte ben.

Hvordan understøtter enheden bilkvalitetsbehov?

Den opfylder AEC-Q101-krav til biler for komponenter, der bruges i køretøjsmiljøer.

Hvilken kanaltype og -tilstand bestemmer skifteadfærden?

Den bruger en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning tilstand til kontrolleret ledning.

Hvilke elektriske grænser skal overholdes for gate- og drain-spændinger?

Gate-source-spændingen skal forblive inden for ±20 V og drain-source-spændingen inden for 100 V.