Infineon N-Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-2993
- Producentens varenummer:
- IPA50R950CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 199,25
(ekskl. moms)
Kr. 249,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 3,985 | Kr. 199,25 |
| 100 - 200 | Kr. 3,878 | Kr. 193,90 |
| 250 - 450 | Kr. 3,779 | Kr. 188,95 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,679 | Kr. 183,95 |
| 1250 + | Kr. 3,589 | Kr. 179,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2993
- Producentens varenummer:
- IPA50R950CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 29.75mm | |
| Længde | 16.15mm | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 29.75mm | ||
Længde 16.15mm | ||
Bredde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Det giver alle fordele ved en hurtig skiftende Superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og
tilbyder markedets bedste ydelsesforhold, der er lavere for omkostningerne.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse