Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- RS-varenummer:
- 218-2993
- Producentens varenummer:
- IPA50R950CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 98,65
(ekskl. moms)
Kr. 123,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 1,973 | Kr. 98,65 |
| 100 - 200 | Kr. 1,921 | Kr. 96,05 |
| 250 - 450 | Kr. 1,87 | Kr. 93,50 |
| 500 - 1200 | Kr. 1,822 | Kr. 91,10 |
| 1250 + | Kr. 1,777 | Kr. 88,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-2993
- Producentens varenummer:
- IPA50R950CEXKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.83V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 29.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.83V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 29.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOS™ CE-serien N-kanal effekt MOSFET. CoolMOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings power MOSFET'er, der er designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Det giver alle fordele ved en hurtig skiftende Superjunction MOSFET uden at gå på kompromis med brugervenligheden og
tilbyder markedets bedste ydelsesforhold, der er lavere for omkostningerne.
Meget stor kommutationsrobusthed
Nem at bruge/køre
Blyfri belægning, halogenfri støbemasse
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 500 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 550 V N TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.6 A 550 V Forbedring SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 7.6 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 4.8 A 500 V N TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 15.1 A 650 V N TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 6.8 A 600 V N TO-220, 600V CoolMOS CE
- Infineon Type N-Kanal 3.9 A 800 V P TO-220, CoolMOS CE