Infineon N-Kanal, MOSFET, 174 A 150 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til anvendelser med høj strøm og høj spænding, hvor der kræves termisk modstandsdygtighed og overflademontering. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er konfigureret som en N-kanalenhed i en TO-263-pakke til overflademontering, velegnet til integration i konverter- og invertertopologier.

• Lav modstand ved tænding på 4,4 mΩ reducerer ledningstab og varmeudvikling
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm på 174 A understøtter drift med kraftig belastning
• Drain-source mærkespænding 150 V muliggør højspændingsswitching
• Maksimalt effekttab på 300 W muliggør vedvarende effekthåndtering
• Gate-source spændingsgrænse 20 V passer til standard gate-drevniveauer
• Fremadgående spænding 1,1 V minimerer faldet under ledning ved nominel strøm

• Velegnet til DC/DC-omformere i strømfordelingssystemer
• Anvendes til invertertrin i motordrev-enheder
• Ideel til højstrømsskift i serverstrømforsyninger
• Kan bruges til strømstyring i industrielt styreudstyr
• Anvendes sammen med varmeafledende løsninger i højeffektsenheder

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +175 °C, hvilket muliggør brug i miljøer med kraftige temperaturvariationer.

Komponenten leveres i en TO-263-pakke til overflademontering med syv ben, hvilket kræver tilsvarende jordmønster og termiske puder.

Enheden bruger en N-kanal, forstærkningskonfiguration, der er velegnet til switching på den lave side eller den høje side med passende gate-drev.

Den har en maksimal kontinuerlig drenstrøm på 174 A og et maksimalt effekttab på 300 W til vedvarende strømanvendelser.