Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 150 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB065N15N3GATMA1

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 59,72

(ekskl. moms)

Kr. 74,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.556 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 29,86Kr. 59,72

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4283
Producentens varenummer:
IPB065N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

130A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

6.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

70nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.31mm

Højde

9.45mm

Bredde

4.57 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links