Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 218-3061
- Producentens varenummer:
- IPI45N06S409AKSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 295,45
(ekskl. moms)
Kr. 369,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 450 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,909 | Kr. 295,45 |
| 100 - 200 | Kr. 5,504 | Kr. 275,20 |
| 250 - 450 | Kr. 5,36 | Kr. 268,00 |
| 500 - 950 | Kr. 5,223 | Kr. 261,15 |
| 1000 + | Kr. 5,091 | Kr. 254,55 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3061
- Producentens varenummer:
- IPI45N06S409AKSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Emballagetype | TO-262 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.2mm | |
| Højde | 23.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Emballagetype TO-262 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.2mm | ||
Højde 23.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler, integreret med I2PAK (TO-262) hus.
N-kanal - forbedringstilstand
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V I2PAK (TO-262), OptiMOS T2 IPI90N04S402AKSA1
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 86 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101