Infineon N-Kanal, MOSFET, 93 A 20 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3109
- Producentens varenummer:
- IRFR3711ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 121,78
(ekskl. moms)
Kr. 152,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,089 | Kr. 121,78 |
| 100 - 180 | Kr. 5,786 | Kr. 115,72 |
| 200 - 480 | Kr. 5,543 | Kr. 110,86 |
| 500 - 980 | Kr. 5,30 | Kr. 106,00 |
| 1000 + | Kr. 4,933 | Kr. 98,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3109
- Producentens varenummer:
- IRFR3711ZTRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 93A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.8mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 10V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 79W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 93A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.8mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 10V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 79W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 2.39mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET serien 20 V enkelt N-kanal Power MOSFET. Denne enhed er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Ultra-lav gate-impedans
Blyfri