Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 62 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 218-3112
- Producentens varenummer:
- IRFR48ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 12.978,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.224,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 15.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,326 | Kr. 12.978,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 218-3112
- Producentens varenummer:
- IRFR48ZTRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 62A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 91W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 62A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 91W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon HEXFET-serien enkelt N-kanal power MOSFET. Denne HEXFET® Power MOSFET udnytter de nyeste behandlingsteknikker for at opnå ekstremt lav modstand ved tændt pr. siliciumareal.
Ekstremt lav modstand ved tændt
175 °C driftstemperatur
Hurtigt skift
Blyfri
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 62 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 27 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 59 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET