Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 56 A 55 V, TO-252, HEXFET
- RS-varenummer:
- 258-3984
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 33,81
(ekskl. moms)
Kr. 42,26
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 6,762 | Kr. 33,81 |
| 50 - 120 | Kr. 6,224 | Kr. 31,12 |
| 125 - 245 | Kr. 5,834 | Kr. 29,17 |
| 250 - 495 | Kr. 5,416 | Kr. 27,08 |
| 500 + | Kr. 5,012 | Kr. 25,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3984
- Producentens varenummer:
- IRFR2405TRLPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon R MOSFET-serien af effekt-MOSFET'er udnytter gennemprøvede siliciumprocesser, der giver designere en bred portefølje af enheder til at understøtte forskellige anvendelser som f.eks. DC-motorer, invertere, SMPS, belysning, belastningskontakter samt batteridrevne anvendelser. Enhederne fås i en række overflademonterede og gennemhullede pakker med industristandard fodaftryk for at gøre designet nemmere.
Planarcellestruktur til bred SOA
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i overensstemmelse med JEDEC-standarden
Øget robusthed
Bred tilgængelighed fra distributionspartnere
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 55 V Forbedring TO-252, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 100 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 89 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 61 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 56 A 100 V TO-252, HEXFET
- Infineon N-Kanal 56 A 30 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3707ZTRPBF