STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL260N
- RS-varenummer:
- 219-4230
- Producentens varenummer:
- STL260N4LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 106,37
(ekskl. moms)
Kr. 132,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 23. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 21,274 | Kr. 106,37 |
| 25 - 45 | Kr. 20,226 | Kr. 101,13 |
| 50 - 120 | Kr. 18,192 | Kr. 90,96 |
| 125 - 245 | Kr. 17,264 | Kr. 86,32 |
| 250 + | Kr. 16,816 | Kr. 84,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 219-4230
- Producentens varenummer:
- STL260N4LF7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | STL260N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie STL260N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics N-kanal effekt MOSFET anvender STripFET F7-teknologi med en forbedret rench gate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-opladning reduceres for hurtigere og mere effektiv switching.
Blandt markedets laveste RDS(on)
Fremragende FOM (antal kvalifikationer)
Lavt CRS/CISS forhold for EMI immunitet
Kraftig lavine-robusthed
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 40 V PowerFLAT, STL260N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 154 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 80 V PowerFLAT, STL1 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 144 A 40 V Forbedring PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics Type N-Kanal 304 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 290 A 40 V PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring PowerFLAT, SCTL35N65G2V