STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 301.875,00

(ekskl. moms)

Kr. 377.343,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 100,625Kr. 301.875,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
213-3941
Producentens varenummer:
SCTL35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

0.95mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

8.1mm

Bilindustristandarder

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterede links