STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 301.875,00

(ekskl. moms)

Kr. 377.343,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 100,625Kr. 301.875,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
213-3941
Producentens varenummer:
SCTL35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCTL35N65G2V

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

8.1mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.95mm

Bredde

8.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterede links