STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V Nej SCTL35N65G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 105,09

(ekskl. moms)

Kr. 131,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 105,09
50 - 99Kr. 102,33
100 - 249Kr. 99,71
250 +Kr. 97,24

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
213-3942
Producentens varenummer:
SCTL35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.95mm

Længde

8.1mm

Bredde

8.1 mm

Bilindustristandarder

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterede links