STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- RS-varenummer:
- 213-3942
- Producentens varenummer:
- SCTL35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 105,09
(ekskl. moms)
Kr. 131,36
(inkl. moms)
Tilføj 5 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 105,09 |
| 50 - 99 | Kr. 102,33 |
| 100 - 249 | Kr. 99,71 |
| 250 + | Kr. 97,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-3942
- Producentens varenummer:
- SCTL35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTL35N65G2V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 417W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 0.95mm | |
| Bredde | 8.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTL35N65G2V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 417W | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 0.95mm | ||
Bredde 8.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 40 A 650 V Forbedring PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 167 A 40 V Forbedring PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 58 A 650 V Forbedring PowerFLAT, ST8L65
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 160 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics Type N-Kanal 125 A 100 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring PowerFLAT