STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Forbedring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 105,09

(ekskl. moms)

Kr. 131,36

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 105,09
50 - 99Kr. 102,33
100 - 249Kr. 99,71
250 +Kr. 97,24

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
213-3942
Producentens varenummer:
SCTL35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

0.95mm

Længde

8.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterede links