STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 35 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0
- RS-varenummer:
- 762-551
- Producentens varenummer:
- ST8L65N050DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 37,77
(ekskl. moms)
Kr. 47,21
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 37,77 |
| 10 - 49 | Kr. 36,73 |
| 50 - 99 | Kr. 35,53 |
| 100 + | Kr. 30,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-551
- Producentens varenummer:
- ST8L65N050DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 35A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerFlat HV | |
| Serie | ST8L65N0 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 50mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 107nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 0.95mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 35A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerFlat HV | ||
Serie ST8L65N0 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 50mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 107nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 0.95mm | ||
Længde 8.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Super Junction Power MOSFET er en højtydende strømforsyning bygget på Advanced MDmesh M9 super junction-teknologi. Den er designet til mellem- og højspændingsanvendelser, hvor lave ledningstab og hurtig skifte er afgørende.
Meget lav FOM
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende skifteydelse
100% lavine testet