STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL1 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 230-0097
- Producentens varenummer:
- STL125N8F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 102,78
(ekskl. moms)
Kr. 128,475
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 20,556 | Kr. 102,78 |
| 25 - 45 | Kr. 19,538 | Kr. 97,69 |
| 50 - 120 | Kr. 17,578 | Kr. 87,89 |
| 125 - 245 | Kr. 15,828 | Kr. 79,14 |
| 250 + | Kr. 15,02 | Kr. 75,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 230-0097
- Producentens varenummer:
- STL125N8F7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | STL1 | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 167W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.4mm | |
| Bredde | 5.2 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie STL1 | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 167W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.4mm | ||
Bredde 5.2 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics STL125N8F7AG er N-kanal Power MOSFET anvender STripFET Trif7-teknologi med en forbedret rench gate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-opladning reduceres for hurtigere og mere effektiv switching.
Høj lavine-robusthed
Hus med indstillelig flanke
AEC-Q101 kvalificeret
Fremragende fod
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 80 V PowerFLAT, STL1 AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring PowerFLAT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 95 A 80 V Forbedring PowerFLAT AEC-Q101 STL105N8F7AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 40 V PowerFLAT, STL260N Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 120 A 40 V PowerFLAT, STL260N Nej STL260N4LF7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 350 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101 STL325N4F8AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 167 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101 STL145N4LF8AG
- STMicroelectronics Type N-Kanal 304 A 40 V PowerFLAT, STL AEC-Q101 STL305N4LF8AG
