Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 170 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 220-7379
Producentens varenummer:: IPB033N10N5LFATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 170 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 16.615,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.769,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 16,615	Kr. 16.615,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 220-7379
Producentens varenummer:: IPB033N10N5LFATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET og Diode
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	170A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	3.3mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	179W
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET og Diode
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 3.3mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 179W
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPB033N10N5LFATMA1

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET og diode, 100 V maksimal drain source-spænding, 170 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPB033N10N5LFATMA1

Denne MOSFET og diode er en effektenhed til overflademontering, der er beregnet til kobling med høj strøm i krævende termiske miljøer. Den kombinerer en N-kanalforbedringsenhed med en integreret diode i en TO-263-pakke, hvilket giver en kompakt løsning til strømkonverterings- og skifteopgaver over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 100 V mærkeværdi muliggør drift i mellemspændingssystemer
• 3.3 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab under kraftig belastning
• 170 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter anvendelser med høj strømstyrke
• 179 W effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 1,2 V fremadgående diodespænding minimerer koblingstab
• 20 V gate-tolerance muliggør fleksible gate-drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til primær omskiftning af serverstrømforsyning
• Ideel til synkron ensretning i omformere
• Anvendes til motordrevne halvbrotrin
• Kan bruges til styring af batterier med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med DC-DC-konvertere, der kræver lavt ledningstab

Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den håndtere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C.

Hvilken pakke og monteringstype skal designere planlægge?

Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering på printkortmoduler.

Hvordan passer enheden til termiske konstruktioner med høj strømstyrke?

Kombinationen af en konstant mærkestrøm på 170 A og maksimal tab på 179 W muliggør brug i konstruktioner, hvor betydelig varme skal styres gennem printkortkobber og termiske puder.

Hvilke begrænsninger for gate-drev skal overholdes?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at forblive inden for sikre driftsgrænser.

Hvilke ledningsegenskaber påvirker effekttabberegninger?

Den lave drain-source-modstand på 3,3 mΩ er nøgleparameteren til vurdering af ledningstab ved driftsstrøm.