Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 30 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (20 enheder, i en pakke med 20)*

Kr. 124,02

(ekskl. moms)

Kr. 155,02

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,201Kr. 124,02
100 - 180Kr. 4,844Kr. 96,88
200 - 480Kr. 4,533Kr. 90,66
500 - 980Kr. 4,215Kr. 84,30
1000 +Kr. 3,909Kr. 78,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7404
Producentens varenummer:
IPD30N06S4L23ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET og Diode

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.1nC

Portkildespænding maks.

16V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

36W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.41mm

Bredde

6.22mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS seriens MOSFET og diode, 60 V maksimal drain source-spænding, 30 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD30N06S4L23ATMA2


Denne MOSFET og diode er en effektomskiftningsenhed, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke i krævende elektriske miljøer. Det er en N-kanal-forstærkningstransistor med en integreret diode, der er beregnet til overflademonteret implementering i systemer, der kræver robust ledningsevne og termisk tolerance. Komponenten fungerer over et udvidet temperaturområde og er konstrueret til at opfylde krav til belastning i biler til brug i køretøjselektronik og industrielle styringer.

Egenskaber og fordele:


• 60 V mærkeværdi muliggør kobling af strømskinner med moderat spænding
• 30 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje strømbelastninger
• 23 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 36 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 16,1 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig koblingsadfærd
• 1,3 V fremadgående spænding for effektiv diodeledning

Anvendelser


• Velegnet til strømstyringsmoduler til biler
• Ideel til DC-motortrin i køretøjer
• Anvendes sammen med højstrømsomformere og regulatorer
• Kan bruges til belastningsswitching i industrielt udstyr
• Velegnet til overflademonterede enheder, der kræver termisk modstandsdygtighed

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes under brug?


Enheden må ikke drives ud over ±16 V gate-to-source for at forhindre gate-belastning.

Hvilken pakke og monteringstype bruger komponenten?


Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering med tre ben.

Hvordan opfører enheden sig over ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C til brug i miljøer med bredt temperaturområde.

Hvilken kanalledningstype implementeres, og hvordan påvirker det aktiveringen?


Den bruger en N-kanalforbedringstilstand, så en positiv gate-spænding i forhold til kilden er påkrævet for at tænde den.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.