Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 30 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 220-7404
- Producentens varenummer:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 64,64
(ekskl. moms)
Kr. 80,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 400 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 3,232 | Kr. 64,64 |
| 100 - 180 | Kr. 2,521 | Kr. 50,42 |
| 200 - 480 | Kr. 2,36 | Kr. 47,20 |
| 500 - 980 | Kr. 2,196 | Kr. 43,92 |
| 1000 + | Kr. 2,039 | Kr. 40,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7404
- Producentens varenummer:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon tilbyder et bredt udvalg af 55 V-60 V N-kanal automotive-kvalificerede power MOSFET'er ved hjælp af den nye OptiMOS-teknologi i en række pakker og et bredt udvalg af RDS(on) fra 1,5 m/4, op til 160 m/4, den nye 60 V MOSFET-serie til biler med OptiMOS5-teknologi leverer mere effekt og førende ydeevne. OptiMOS 5 giver reduceret ledetab optimeret til drev og strømkonvertering. De mindre blyfri huse SSO8 (5x6 mm2) og S3O8 (3x3 mm2) giver pladsbesparelser på mere end 50 % sammenlignet med området på en DPAK.
N-kanal - forbedringstilstand
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
100 % lavine-testet
Verdens laveste RDS ved 60 V (til)
højeste strømkapacitet
laveste skift- og ledningstab giver den højeste termiske effektivitet
robuste huse med uovertruffen kvalitet og driftssikkerhed
Optimeret samlet gate-opladning muliggør mindre driveroutputfaser
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101