Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7 Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 415,20

(ekskl. moms)

Kr. 519,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.350 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 5,536Kr. 415,20
150 - 300Kr. 4,705Kr. 352,88
375 +Kr. 4,152Kr. 311,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7448
Producentens varenummer:
IPU80R750P7AKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

750mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

51W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Længde

6.73mm

Bredde

2.41 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 800V Cool MOS P7 super-junction MOSFET-serien er perfekt til SMPS-anvendelser med lavt strømforbrug ved fuldt ud at imødekomme markedets behov for ydeevne, brugervenlighed og pris/ydelse forhold. Den fokuserer primært på flyback-anvendelser, herunder adapter og oplader, LED-driver, audio SMPS, AUX og industriel strøm. Denne nye produktserie tilbyder op til 0,6 % effektivitetsforøgelse og 2 °C til 8 °C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med forgængeren samt konkurrerende dele, der er testet i typiske flueback-anvendelser. Det muliggør også større effekttæthed gennem lavere skiftetab og bedre DPAK R DS(on) produkter. Samlet set hjælper det kunderne med at spare BOM-omkostninger og reducere monteringsarbejdet.

Bedste i sin klasse FOM R DS(til) * E oss; Reduceret QG, C IS og C oss

Klassens bedste DPAK R DS (ON) på 280 mΩ

Bedst i klassen V (GS), en variation på 3 V og den mindste V (GS) På ±0,5 V.

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse op til klasse 2 (HBM)

Klassens bedste kvalitet og pålidelighed

Fuldt optimeret portefølje

0,1 % til 0,6 % effektivitetsforøgelse og 2 °C til 8 °C lavere MOSFET-temperatur sammenlignet med Cool MOS™ C3

Muliggør design med højere effekttæthed, lavere materialebesparelser og lavere monteringsomkostninger

Nem at køre og designe

Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl

Færre produktionsproblemer og reduceret returnering i marken

Let at vælge de rigtige dele til finjustering af design

Relaterede links