Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 145 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 220-7459
- Producentens varenummer:
- IPW65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 137,18
(ekskl. moms)
Kr. 171,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 212 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 68,59 | Kr. 137,18 |
| 10 - 18 | Kr. 61,71 | Kr. 123,42 |
| 20 - 48 | Kr. 57,635 | Kr. 115,27 |
| 50 - 98 | Kr. 53,48 | Kr. 106,96 |
| 100 + | Kr. 50,005 | Kr. 100,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7459
- Producentens varenummer:
- IPW65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 145A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 171W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bredde | 5.21mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 145A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 171W | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Længde 16.13mm | ||
Bredde 5.21mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET serien er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet.
650 V spænding
Revolutionerende R DS(on)/pakke i bedste klasse
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (Eoss)
Sænk portens ladning QG
Pladsbesparende ved brug af mindre pakker eller reduktion af dele
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solceller inverteranvendelser
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Forøgelse af effekttæthed
Enestående Cool MOS™-kvalitet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 145 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 75 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 49 A 700 V Forbedring TO-252, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 50 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon N-Kanal 37 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7