Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 145 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7
- RS-varenummer:
- 220-7459
- Producentens varenummer:
- IPW65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 131,42
(ekskl. moms)
Kr. 164,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 212 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 65,71 | Kr. 131,42 |
| 10 - 18 | Kr. 59,09 | Kr. 118,18 |
| 20 - 48 | Kr. 55,20 | Kr. 110,40 |
| 50 - 98 | Kr. 51,24 | Kr. 102,48 |
| 100 + | Kr. 47,87 | Kr. 95,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7459
- Producentens varenummer:
- IPW65R065C7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 145A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 171W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 145A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 171W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Cool MOS C7 super junction MOSFET serien er et revolutionerende fremskridt inden for teknologi, der giver verdens laveste RDS(on)/pakke og, takket være de lave skiftetab, effektivitetsforbedringer over hele belastningsområdet.
650 V spænding
Revolutionerende R DS(on)/pakke i bedste klasse
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (Eoss)
Sænk portens ladning QG
Pladsbesparende ved brug af mindre pakker eller reduktion af dele
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS og solceller inverteranvendelser
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Forøgelse af effekttæthed
Enestående Cool MOS™-kvalitet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 145 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 75 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 46 A 700 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 49 A 700 V Forbedring TO-252, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-247, CoolMOS C7