onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 127 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTBGS3D
- RS-varenummer:
- 221-6704
- Producentens varenummer:
- NTBGS3D5N06C
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 165,08
(ekskl. moms)
Kr. 206,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 590 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 33,016 | Kr. 165,08 |
| 50 - 95 | Kr. 28,454 | Kr. 142,27 |
| 100 + | Kr. 24,67 | Kr. 123,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6704
- Producentens varenummer:
- NTBGS3D5N06C
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 127A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | NTBGS3D | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 115W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 15.7mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 127A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie NTBGS3D | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 115W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 15.7mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor 60 V effekt MOSFET brugte 127A drænstrøm med en enkelt N-kanal. Den har lavere skiftestøj/EMI og minimerer ledningstab.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav kapacitet for at minimere tab af driver
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 127 A 60 V Forbedring TO-263, NTBGS3D
- onsemi Type N-Kanal 342 A 60 V Forbedring TO-263, NTBGS
- onsemi Type N-Kanal 267 A 60 V Forbedring TO-263, NTBGS1D
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
- onsemi Type N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring TO-263, NVB
- onsemi Type N-Kanal 169 A 60 V Forbedring TO-263-7, NTBGS2D
- onsemi Type N-Kanal 229 A 80 V Forbedring TO-263, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 30 A 1200 V Forbedring TO-263, NTB
