onsemi N-Kanal, MOSFET, 170 A 30 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS1D7N
- RS-varenummer:
- 221-6730
- Producentens varenummer:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 68,52
(ekskl. moms)
Kr. 85,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 10. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,852 | Kr. 68,52 |
| 100 - 240 | Kr. 5,909 | Kr. 59,09 |
| 250 - 490 | Kr. 5,116 | Kr. 51,16 |
| 500 - 990 | Kr. 4,495 | Kr. 44,95 |
| 1000 + | Kr. 4,092 | Kr. 40,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6730
- Producentens varenummer:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS1D7N | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.74mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 87W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | Pb-Free, RoHS | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Længde | 5.3mm | |
| Højde | 6.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NTMFS1D7N | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.74mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 87W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser Pb-Free, RoHS | ||
Bredde 1.1mm | ||
Længde 5.3mm | ||
Højde 6.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor 30 V effekt MOSFET brugte 170 A drænstrøm med en enkelt N-kanal. Det forbedrer styringen af indkoblingsstrømstød og forbedrer systemets effektivitet.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav kapacitet for at minimere tab af driver