onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NTP165N65S Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 800 enheder)*

Kr. 11.704,80

(ekskl. moms)

Kr. 14.631,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
800 +Kr. 14,631Kr. 11.704,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
221-6747
Producentens varenummer:
NTP165N65S3H
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

NTP165N65S

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

165mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

16.3mm

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

4.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.

Ultralav gate-opladning

Lav effektiv udgangskapacitet 326 pF

100 % avalanche-testet

Relaterede links