onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NTP165N65S Nej NTP165N65S3H

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 50,27

(ekskl. moms)

Kr. 62,838

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 736 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 25,135Kr. 50,27
20 - 198Kr. 21,69Kr. 43,38
200 +Kr. 18,81Kr. 37,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
221-6748
Producentens varenummer:
NTP165N65S3H
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-220

Serie

NTP165N65S

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

165mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

16.3mm

Længde

10.67mm

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.

Ultralav gate-opladning

Lav effektiv udgangskapacitet 326 pF

100 % avalanche-testet

Relaterede links