onsemi N-Kanal, MOSFET, 19 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, NTP165N65S
- RS-varenummer:
- 221-6748
- Producentens varenummer:
- NTP165N65S3H
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 55,28
(ekskl. moms)
Kr. 69,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 696 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 27,64 | Kr. 55,28 |
| 20 - 198 | Kr. 23,825 | Kr. 47,65 |
| 200 + | Kr. 20,68 | Kr. 41,36 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6748
- Producentens varenummer:
- NTP165N65S3H
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | NTP165N65S | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 165mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 16.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie NTP165N65S | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 165mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 16.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor SUPERFET III MOSFET har højspændings super-junction (SJ) MOSFET-serien, der anvender opladningsbalanceteknologi for fremragende lav modstand og lavere gate-ladeniveau. Denne Advanced-teknologi er skræddersyet til at minimere tab af ledning, giver overlegen skifteevne og kan modstå ekstreme dv/dt-hastigheder.
Ultralav gate-opladning
Lav effektiv udgangskapacitet 326 pF
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, NTP165N65S
- onsemi N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, SUPERFET III
- onsemi N-Kanal 40 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 30 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 24 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 20 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 36 A 650 V Forbedring TO-220
- onsemi N-Kanal 19 A 650 V N TO-220, SUPERFET III