onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 277 A 40 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NVMFS5C Nej NVMFS5C420NLWFT1G
- RS-varenummer:
- 221-6754
- Producentens varenummer:
- NVMFS5C420NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 181,24
(ekskl. moms)
Kr. 226,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 18,124 | Kr. 181,24 |
| 100 - 240 | Kr. 15,618 | Kr. 156,18 |
| 250 + | Kr. 13,546 | Kr. 135,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 221-6754
- Producentens varenummer:
- NVMFS5C420NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 277A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVMFS5C | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 146W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Højde | 5.3mm | |
| Længde | 6.3mm | |
| Bredde | 1.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 277A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVMFS5C | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 146W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Højde 5.3mm | ||
Længde 6.3mm | ||
Bredde 1.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
on Semiconductor effekt MOSFET til brug i biler i et 5 x 6 mm fladt kabel-hus, der er designet til kompakte og effektive designs og med høj termisk ydelse. Den fås til forbedret optisk inspektion. AEC-Q101 kvalificeret MOSFET- og PPAP-kompatibel velegnet til brug i biler.
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitans for at minimere tab af driver
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 277 A 40 V Forbedring DFN, NVMFS5C Nej
- onsemi Type N-Kanal 277 A 40 V Forbedring DFN, NVMFS5C Nej NVMFS5C420NLT1G
- onsemi Type N-Kanal 268 A 40 V Forbedring DFN, NVMFS5C Nej
- onsemi Type N-Kanal 268 A 40 V Forbedring DFN, NVMFS5C Nej NVMFS5C420NT1G
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring DFN Nej
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN Nej
- onsemi Type N-Kanal 200 A 40 V Forbedring DFN Nej NTMFS5C430NLT1G
- onsemi Type N-Kanal 313 A 40 V Forbedring DFN Nej NTMFSC0D9N04CL
