DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 24,65
(ekskl. moms)
Kr. 30,80
(inkl. moms)
Tilføj 525 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 0,986 | Kr. 24,65 |
| 500 - 975 | Kr. 0,958 | Kr. 23,95 |
| 1000 - 2475 | Kr. 0,936 | Kr. 23,40 |
| 2500 - 4975 | Kr. 0,91 | Kr. 22,75 |
| 5000 + | Kr. 0,889 | Kr. 22,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X4-DSN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.88W | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 0.64mm | |
| Højde | 0.22mm | |
| Bredde | 1.04 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X4-DSN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.88W | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 0.64mm | ||
Højde 0.22mm | ||
Bredde 1.04 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere pladsbehovet i håndholdt og mobil anvendelse. Den kan bruges til at erstatte mange små signaler MOSFET med lige så lille størrelse.
Lav QG og Qgd
Kompakt
Lavprofils 0,20 mm højde
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.6 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 13 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN3006SCA6
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring X4-DSN1515-9 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.8 A 45 V Forbedring TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring TSSOP, DMN AEC-Q101
