DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101 DMN3061LCA3-7
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 24,65
(ekskl. moms)
Kr. 30,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 0,986 | Kr. 24,65 |
| 500 - 975 | Kr. 0,958 | Kr. 23,95 |
| 1000 - 2475 | Kr. 0,936 | Kr. 23,40 |
| 2500 - 4975 | Kr. 0,91 | Kr. 22,75 |
| 5000 + | Kr. 0,889 | Kr. 22,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | X4-DSN | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.88W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.04 mm | |
| Højde | 0.22mm | |
| Længde | 0.64mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype X4-DSN | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.88W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.04 mm | ||
Højde 0.22mm | ||
Længde 0.64mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere pladsbehovet i håndholdt og mobil anvendelse. Den kan bruges til at erstatte mange små signaler MOSFET med lige så lille størrelse.
Lav QG og Qgd
Kompakt
Lavprofils 0,20 mm højde
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.6 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101 DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 13 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN3006SCA6 Nej
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 13 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN3006SCA6 Nej DMN3006SCA6-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 9.8 A 12 V Forbedring UDFN, DMN AEC-Q101
