DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101 DMN3061LCA3-7
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 24,65
(ekskl. moms)
Kr. 30,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 0,986 | Kr. 24,65 |
| 500 - 975 | Kr. 0,958 | Kr. 23,95 |
| 1000 - 2475 | Kr. 0,936 | Kr. 23,40 |
| 2500 - 4975 | Kr. 0,91 | Kr. 22,75 |
| 5000 + | Kr. 0,889 | Kr. 22,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X4-DSN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.88W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.04 mm | |
| Længde | 0.64mm | |
| Højde | 0.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X4-DSN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.88W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.04 mm | ||
Længde 0.64mm | ||
Højde 0.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere pladsbehovet i håndholdt og mobil anvendelse. Den kan bruges til at erstatte mange små signaler MOSFET med lige så lille størrelse.
Lav QG og Qgd
Kompakt
Lavprofils 0,20 mm højde
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben DMN DMN3061LCA3-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben DMN DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 1 3 ben DMN DMN2310UWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V SOT-323, DMN DMN2710UW-7
- DiodesZetex N-Kanal 1 3 ben DMN DMN2310UW-7
- DiodesZetex N-Kanal 900 mA 20 V SOT-323, DMN DMN2710UWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1717-4 DMN2009UCA4-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1111-4 DMN2030UCA4-7
