DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 3 Ben, X4-DSN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 47,50
(ekskl. moms)
Kr. 59,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 475 | Kr. 1,90 | Kr. 47,50 |
| 500 - 975 | Kr. 1,43 | Kr. 35,75 |
| 1000 - 2475 | Kr. 1,40 | Kr. 35,00 |
| 2500 - 4975 | Kr. 1,361 | Kr. 34,03 |
| 5000 + | Kr. 1,326 | Kr. 33,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2838
- Producentens varenummer:
- DMN3061LCA3-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Emballagetype | X4-DSN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 900mV | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.88W | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 220μm | |
| Længde | 640μm | |
| Bredde | 1.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Emballagetype X4-DSN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 900mV | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.88W | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 220μm | ||
Længde 640μm | ||
Bredde 1.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere pladsbehovet i håndholdt og mobil anvendelse. Den kan bruges til at erstatte mange små signaler MOSFET med lige så lille størrelse.
Lav QG og Qgd
Kompakt
Lavprofils 0,20 mm højde
Fuldstændig blyfri og fuldt i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 4.6 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 N-Kanal Dobbelt 13 A 30 V Forbedring X4-DSN, DMN3006SCA6
- DiodesZetex N-Kanal 5.3 A 100 V Forbedring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 5 A 60 V Forbedring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 9.8 A 12 V Forbedring UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 4.8 A 45 V Forbedring TSOT, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 15 A 30 V Forbedring TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 130 A 60 V Forbedring TO-220, DMN AEC-Q101