DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 13 A 30 V Forbedring, 6 Ben, X4-DSN, DMN3006SCA6 Nej
- RS-varenummer:
- 213-9170
- Producentens varenummer:
- DMN3006SCA6-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 7.842,00
(ekskl. moms)
Kr. 9.804,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,614 | Kr. 7.842,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9170
- Producentens varenummer:
- DMN3006SCA6-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMN3006SCA6 | |
| Emballagetype | X4-DSN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0048Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.95V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 0.11mm | |
| Bredde | 1.9 mm | |
| Længde | 3.5mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMN3006SCA6 | ||
Emballagetype X4-DSN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0048Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.95V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 0.11mm | ||
Bredde 1.9 mm | ||
Længde 3.5mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex DMN3006SCA6 seriens MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden, opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
ESD-beskyttet låge
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 13 A 30 V X4 - DSN3519-6, DMN3006SCA6 DMN3006SCA6-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1717-4 DMN2009UCA4-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1111-4 DMN2030UCA4-7
- DiodesZetex P-Kanal 3 X4-DSN1515-9 DMT12H060LCA9-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 3 ben DMN DMN3061LCA3-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 40 V SOIC DMN4031SSD-13
- DiodesZetex, MOSFET DMT10H4M9SPSW-13
- DiodesZetex, MOSFET DMT10H4M9LPSW-13
