DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 9.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VDFN
- RS-varenummer:
- 182-7493
- Producentens varenummer:
- DMT6018LDR-13
- Brand:
- DiodesZetex
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 182-7493
- Producentens varenummer:
- DMT6018LDR-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | VDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.9W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Længde | 3.05mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Højde | 0.8mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype VDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.9W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Længde 3.05mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Højde 0.8mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Anvendelsesområder
Power Management-Funktioner
Analog switch
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 60 V Forbedring VDFN
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 33.2 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 100 V Forbedring VDFN AEC-Q200,
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 8 A 20 V Forbedring VDFN, DMN2024UFX
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 30 V Forbedring SOIC
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 3.8 A 20 V Forbedring UDFN AEC-Q101 AEC-Q100
