DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 9.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VDFN
- RS-varenummer:
- 182-7493
- Producentens varenummer:
- DMT6018LDR-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 39,14
(ekskl. moms)
Kr. 48,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 29.980 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,914 | Kr. 39,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7493
- Producentens varenummer:
- DMT6018LDR-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | VDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 26mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.2nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.9W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.75V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 3.05 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 3.05mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype VDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 26mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.9W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.75V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 3.05 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 3.05mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Anvendelsesområder
Power Management-Funktioner
Analog switch
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 9.1 A 60 V Forbedring VDFN Nej
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 100 V Forbedring VDFN AEC-Q200,
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 33.2 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101 DMTH6016LPD-13
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 33.2 A 60 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 8 A 20 V Forbedring VDFN, DMN2024UFX Nej
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 8 A 20 V Forbedring VDFN, DMN2024UFX Nej DMN2024UFX-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 8 Ben, PowerDI5060-8 Nej DMT69M9LPDW-13
