DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 10.6 A 30 V Forbedring, 8 Ben, VDFN-3030, DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- RS-varenummer:
- 222-2868
- Producentens varenummer:
- DMT3009UDT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 222-2868
- Producentens varenummer:
- DMT3009UDT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | VDFN-3030 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.011Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 16W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype VDFN-3030 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.011Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 16W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
DiodesZetex dobbelt n-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Spænding for grænse for ultra-lav gate
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 21.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 100 V Forbedring VDFN AEC-Q200,
- DiodesZetex Type N-Kanal 16.1 A 60 V Forbedring VDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 11.5 A 50 V Forbedring UDFN AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 26.5 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 7.7 A 30 V Forbedring UDFN-2020, DMT AEC-Q101
