DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 9.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VDFN

Indhold (1 rulle af 10000 enheder)*

Kr. 30.540,00

(ekskl. moms)

Kr. 38.180,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 20.000 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
10000 +Kr. 3,054Kr. 30.540,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
182-6931
Producentens varenummer:
DMT6018LDR-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.1A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

VDFN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

26mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.75V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.9W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Min. driftstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

-55°C

Standarder/godkendelser

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Længde

3.05mm

Højde

0.8mm

Bredde

3.05 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Lav aktiv modstand

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Lav Indgangs-/Udgangslækage

Anvendelsesområder

Power Management-Funktioner

Analog switch

Relaterede links