Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	DiodesZetex
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	9.1A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	VDFN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	26mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	150°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.9W
	Gennemgangsspænding Vf	0.75V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6.2nC
	Driftstemperatur maks.	-55°C
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Længde	3.05mm
	Standarder/godkendelser	J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS
	Højde	0.8mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand DiodesZetex
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.1A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype VDFN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 26mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur 150°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.9W
	Gennemgangsspænding Vf 0.75V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.2nC
	Driftstemperatur maks. -55°C
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Længde 3.05mm
	Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS
	Højde 0.8mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet DMT6018LDR-13

COO (Country of Origin):: CN

Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.

Lav aktiv modstand

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Lav Indgangs-/Udgangslækage

Anvendelsesområder

Power Management-Funktioner

Analog switch

DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 9.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VDFN

Relaterede links