DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 26.5 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-2873
- Producentens varenummer:
- DMT4014LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 139,30
(ekskl. moms)
Kr. 174,125
(inkl. moms)
Tilføj 150 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 1.925 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 5,572 | Kr. 139,30 |
| 50 - 75 | Kr. 5,46 | Kr. 136,50 |
| 100 - 225 | Kr. 3,869 | Kr. 96,73 |
| 250 + | Kr. 3,791 | Kr. 94,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2873
- Producentens varenummer:
- DMT4014LDV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.019Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerDI3333-8 | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.019Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav RDS(ON) – sikrer, at tab i tilstanden minimeres
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 26.5 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 21.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 30.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333, DMT47 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200