DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 31.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT
- RS-varenummer:
- 222-2877
- Producentens varenummer:
- DMT6015LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 68,425
(ekskl. moms)
Kr. 85,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.675 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,737 | Kr. 68,43 |
| 50 - 75 | Kr. 2,682 | Kr. 67,05 |
| 100 - 225 | Kr. 1,908 | Kr. 47,70 |
| 250 - 975 | Kr. 1,861 | Kr. 46,53 |
| 1000 + | Kr. 1,212 | Kr. 30,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2877
- Producentens varenummer:
- DMT6015LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.8 mm | |
| Højde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.8 mm | ||
Højde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav modstand ved tændt
Kompakt termisk effektiv pakke med lille formfaktor muliggør slutprodukter med højere tæthed
Flanke, der kan fugtes, giver forbedret optisk inspektion
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 26.5 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 16.1 A 60 V Forbedring VDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring UDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 21.2 A 40 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring TO-251, DMT
