DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 31.8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI3333, DMT Nej DMT6015LFVW-7
- RS-varenummer:
- 222-2877
- Producentens varenummer:
- DMT6015LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 68,425
(ekskl. moms)
Kr. 85,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.675 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,737 | Kr. 68,43 |
| 50 - 75 | Kr. 2,682 | Kr. 67,05 |
| 100 - 225 | Kr. 1,908 | Kr. 47,70 |
| 250 - 975 | Kr. 1,861 | Kr. 46,53 |
| 1000 + | Kr. 1,212 | Kr. 30,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2877
- Producentens varenummer:
- DMT6015LFVW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 28.4W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.3mm | |
| Længde | 3.05mm | |
| Bredde | 0.8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerDI3333 | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 28.4W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.3mm | ||
Længde 3.05mm | ||
Bredde 0.8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav modstand ved tændt
Kompakt termisk effektiv pakke med lille formfaktor muliggør slutprodukter med højere tæthed
Flanke, der kan fugtes, giver forbedret optisk inspektion
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 31 8 ben DMT DMT6015LFVW-7
- DiodesZetex N-Kanal 21 8 ben DMT DMT4015LDV-7
- DiodesZetex N-Kanal 26 8 ben DMT DMT4014LDV-7
- DiodesZetex N-Kanal 60 A 60 V PowerDI3333-8 DMT6008LFG-7
- DiodesZetex N-Kanal 8 ben, PowerDI3333-8 DMT6007LFG-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 A 60 V PowerDI3333-8 DMN6069SFVW-7
- DiodesZetex N-Kanal 16 8 ben DMT DMT64M8LCG-7
- DiodesZetex N-Kanal 41 A 60 V PowerDI3333 - 8 DMTH6016LFVWQ-7-A
