DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 16.1 A 60 V Forbedring, 8 Ben, VDFN, DMT Nej DMT64M8LCG-7
- RS-varenummer:
- 222-2881
- Producentens varenummer:
- DMT64M8LCG-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 65,80
(ekskl. moms)
Kr. 82,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.620 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 6,58 | Kr. 65,80 |
| 50 - 90 | Kr. 6,433 | Kr. 64,33 |
| 100 - 240 | Kr. 5,034 | Kr. 50,34 |
| 250 - 990 | Kr. 4,653 | Kr. 46,53 |
| 1000 + | Kr. 4,533 | Kr. 45,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2881
- Producentens varenummer:
- DMT64M8LCG-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | VDFN | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47.5nC | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.16W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 3.3mm | |
| Bredde | 0.8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype VDFN | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47.5nC | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.16W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 3.3mm | ||
Bredde 0.8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere RDS (TIL), men samtidig opretholde overlegen skifteevne. Denne enhed er ideel til brug i notebook-batteristyring og belastningsafbryder.
Høj konverteringseffektivitet
Lav RDS(ON) – minimerer tab i tilstanden
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 16.1 A 60 V Forbedring VDFN, DMT Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101 DMT6008LFG-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT Nej DMT6015LFVW-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT Nej DMT6007LFG-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring UDFN, DMT Nej DMT6030LFCL-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 10.6 A 30 V Forbedring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT Nej
