DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, DMT
- RS-varenummer:
- 222-2882
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 75 enheder)*
Kr. 222,90
(ekskl. moms)
Kr. 278,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | Kr. 2,972 | Kr. 222,90 |
| 150 - 450 | Kr. 2,556 | Kr. 191,70 |
| 525 - 975 | Kr. 2,49 | Kr. 186,75 |
| 1050 + | Kr. 2,429 | Kr. 182,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2882
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 6.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 6.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Kompakt termisk effektiv pakke med lille formfaktor muliggør slutprodukter med højere tæthed
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 75 A 60 V Forbedring TO-251, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 16.1 A 60 V Forbedring VDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring UDFN, DMT
- DiodesZetex Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 68.8 A 100 V Forbedring TO-252, DMT