DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, DMT Nej DMT69M5LH3
- RS-varenummer:
- 222-2883
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 115,95
(ekskl. moms)
Kr. 144,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 75 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 4,638 | Kr. 115,95 |
| 50 - 75 | Kr. 4,542 | Kr. 113,55 |
| 100 - 475 | Kr. 3,21 | Kr. 80,25 |
| 500 - 975 | Kr. 2,672 | Kr. 66,80 |
| 1000 + | Kr. 2,361 | Kr. 59,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2883
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 10 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 6.1mm | |
| Bredde | 2.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28.4nC | ||
Portkildespænding maks. 10 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 6.1mm | ||
Bredde 2.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Kompakt termisk effektiv pakke med lille formfaktor muliggør slutprodukter med højere tæthed
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 75 A 60 V IPAK (TO-251), DMT DMT69M5LH3
- Vishay N-Kanal 7 IPAK (TO-251) IRFU014PBF
- Vishay N-Kanal 14 A 60 V, IPAK (TO-251) IRFU024PBF
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V IPAK (TO-251), HEXFET IRFU3607PBF
- Vishay N-Kanal 7 3 ben, IPAK (TO-251) IRLU014PBF
- onsemi P-Kanal 9 3 ben, IPAK (TO-251) FQU11P06TU
- Infineon N-Kanal 71 A 60 V IPAK (TO-251), HEXFET IRFU7546PBF
- DiodesZetex N-Kanal 31 8 ben DMT DMT6015LFVW-7
