DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 75 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, DMT
- RS-varenummer:
- 222-2883
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 115,95
(ekskl. moms)
Kr. 144,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 4,638 | Kr. 115,95 |
| 50 - 75 | Kr. 4,542 | Kr. 113,55 |
| 100 - 475 | Kr. 3,21 | Kr. 80,25 |
| 500 - 975 | Kr. 2,672 | Kr. 66,80 |
| 1000 + | Kr. 2,361 | Kr. 59,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-2883
- Producentens varenummer:
- DMT69M5LH3
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Portkildespænding maks. | 10V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.3mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 6.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DMT | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Portkildespænding maks. 10V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.3mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 6.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)), men opretholder en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav modstand ved tændt
Lav indgangskapacitet
Kompakt termisk effektiv pakke med lille formfaktor muliggør slutprodukter med højere tæthed
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 75 A 60 V Forbedring TO-251, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 6.5 A 60 V Forbedring UDFN, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 31.8 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 80 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 16.1 A 60 V Forbedring VDFN, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 68.8 A 100 V Forbedring TO-252, DMT
- DiodesZetex N-Kanal 60 A 60 V Forbedring PowerDI3333, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101