DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 68.8 A 100 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, DMT Nej DMT10H010LK3-13
- RS-varenummer:
- 133-3314
- Producentens varenummer:
- DMT10H010LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 55,24
(ekskl. moms)
Kr. 69,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | Kr. 5,524 | Kr. 55,24 |
| 250 + | Kr. 4,735 | Kr. 47,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 133-3314
- Producentens varenummer:
- DMT10H010LK3-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 68.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | DMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.58mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.29mm | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 68.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie DMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.58mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.29mm | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 950 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 68.8 A 100 V Forbedring TO-252, DMT Nej
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101 DMTH10H025SK3-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 46.3 A 100 V Forbedring TO-252, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMT AEC-Q101 DMTH43M8LPS-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 82 A 40 V Forbedring PowerDI5060, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101 DMTH6016LSD-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101 DMTH47M2SK3-13
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 7.6 A 60 V Forbedring SOIC, DMT AEC-Q101
