Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 48,92
(ekskl. moms)
Kr. 61,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 10.800 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,892 | Kr. 48,92 |
| 50 - 90 | Kr. 4,653 | Kr. 46,53 |
| 100 - 240 | Kr. 4,451 | Kr. 44,51 |
| 250 - 490 | Kr. 4,264 | Kr. 42,64 |
| 500 + | Kr. 3,957 | Kr. 39,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101