Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101 IPD60N10S4L12ATMA1
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 79,82
(ekskl. moms)
Kr. 99,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 11.360 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 7,982 | Kr. 79,82 |
| 50 - 90 | Kr. 7,585 | Kr. 75,85 |
| 100 - 240 | Kr. 7,256 | Kr. 72,56 |
| 250 - 490 | Kr. 6,949 | Kr. 69,49 |
| 500 + | Kr. 6,463 | Kr. 64,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V TO-252, OptiMOS™ IPD60N10S4L12ATMA1
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V TO-252, OptiMOS™ IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ IPD50N06S409ATMA2
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD50N06S4L12ATMA2
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD220N06L3GBTMA1
- Infineon N-Kanal 45 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 5 IPD053N06NATMA1
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V TO-252, OptiMOS™ IPD30N06S4L23ATMA2
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 5 IPD025N06NATMA1
