Infineon N-Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 89,31
(ekskl. moms)
Kr. 111,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 710 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,931 | Kr. 89,31 |
| 50 - 90 | Kr. 8,49 | Kr. 84,90 |
| 100 - 240 | Kr. 8,131 | Kr. 81,31 |
| 250 - 490 | Kr. 7,779 | Kr. 77,79 |
| 500 + | Kr. 7,226 | Kr. 72,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4669
- Producentens varenummer:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 94W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 94W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 60 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD60N10S4L12ATMA1
Denne MOSFET er en højspændings N-kanalswitch, der er designet til krævende elektroniske effekttrin og bilmiljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til overflademonterede enheder, der kræver robust koblingsevne og termisk håndtering.
Egenskaber og fordele:
• 100 V mærkeværdi for afløb, der muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 60 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 12 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømbaner
• 94 W effekttab, der forbedrer den termiske holdbarhed under belastning
• 38 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi
• 16 V maks. portdrev, der giver mulighed for fleksible valg af port-spænding
• 60 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 12 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømbaner
• 94 W effekttab, der forbedrer den termiske holdbarhed under belastning
• 38 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig koblingsenergi
• 16 V maks. portdrev, der giver mulighed for fleksible valg af port-spænding
Anvendelser
• Velegnet til strømomformere til biler, der kræver overholdelse af AEC-Q101
• Ideel til DC-DC-konvertere i transportsystemer og industrielle systemer
• Anvendes til motordrevne halvbrotrin i EV-undersystemer
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med kompakte overflademonterede enheder på termiske printkort
• Ideel til DC-DC-konvertere i transportsystemer og industrielle systemer
• Anvendes til motordrevne halvbrotrin i EV-undersystemer
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med kompakte overflademonterede enheder på termiske printkort
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med høje temperaturer.
Hvilke hensyn til emballage og montering gælder for termisk styring?
Den leveres i en TO-252-pakke til overflademontering, der letter kortmonteret varmeafledning og standardlodningsreflow-tilslutning.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for at undgå enhedsbelastning?
Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 16 V, og gate-drive-kredsløb bør ikke overstige dette for at forhindre skader på porten.
Hvilken kanalledningstype og type anvender den?
Den bruger en N-kanal-konfiguration med forbedringstilstand, der er velegnet til switching på lav side og høj side, når gate-drev er velegnet.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
