Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4706
- Producentens varenummer:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 2.149,45
(ekskl. moms)
Kr. 2.686,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 42,989 | Kr. 2.149,45 |
| 100 - 100 | Kr. 40,839 | Kr. 2.041,95 |
| 150 + | Kr. 38,26 | Kr. 1.913,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4706
- Producentens varenummer:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 277.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 277.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 31 3 ben CoolMOS™ IPP65R110CFDAAKSA1
- Infineon N-Kanal 31 3 ben CoolMOS™ IPB65R190C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 31 3 ben CoolMOS™ IPB65R110CFDAATMA1
- Infineon N-Kanal 22 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R099C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 19 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R120C7XKSA1
- Infineon N-Kanal 16 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R145CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V TO-220, CoolMOS™ IPP60R070CFD7XKSA1
- Infineon N-Kanal 37 3 ben CoolMOS™ C6 IPP60R099C6XKSA1
