Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101 IPP65R110CFDAAKSA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 108,71

(ekskl. moms)

Kr. 135,888

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 54,355Kr. 108,71
10 - 18Kr. 47,795Kr. 95,59
20 - 48Kr. 44,58Kr. 89,16
50 - 98Kr. 41,85Kr. 83,70
100 +Kr. 38,56Kr. 77,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4707
Producentens varenummer:
IPP65R110CFDAAKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

31.2A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

277.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.36mm

Højde

4.57mm

Bredde

15.95 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS

Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet

Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23

Relaterede links