Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31.2 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 222-4707
- Producentens varenummer:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 45,40
(ekskl. moms)
Kr. 56,76
(inkl. moms)
Tilføj 26 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 22,70 | Kr. 45,40 |
| 10 - 18 | Kr. 21,095 | Kr. 42,19 |
| 20 - 48 | Kr. 20,57 | Kr. 41,14 |
| 50 - 98 | Kr. 20,01 | Kr. 40,02 |
| 100 + | Kr. 19,525 | Kr. 39,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4707
- Producentens varenummer:
- IPP65R110CFDAAKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 277.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 110nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 15.95 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 277.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 110nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 15.95 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Fremragende termisk modstand 100 % lavalanche-testet
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-23
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 31.2 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 22.4 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS CFDA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 37.9 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 19 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
