Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS Nej IPSA70R1K4P7SAKMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 89,525

(ekskl. moms)

Kr. 111,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 3,581Kr. 89,53
125 - 225Kr. 2,756Kr. 68,90
250 - 600Kr. 2,576Kr. 64,40
625 - 1225Kr. 2,40Kr. 60,00
1250 +Kr. 2,22Kr. 55,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4709
Producentens varenummer:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-251

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.7nC

Effektafsættelse maks. Pd

22.7W

Min. driftstemperatur

-40°C

Portkildespænding maks.

16 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.38 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon designet af Cool MOS™ er en revolutionerende teknologi til højspændings MOSFET'er, designet i henhold til superjunction-princippet (SJ) og udviklet af Infineon Technologies. Den nyeste Cool MOS™ P7 er en optimeret platform, der er skræddersyet til at målrette omkostningsfølsomme anvendelser på forbrugermarkeder som f.eks. oplader, adapter, belysning, TV osv.

Produktvalidering i henhold JEDEC-standard

Lavt skiftetab (Eoss)

Integreret ESD-beskyttelsesdiode

Fremragende termisk ydelse

Relaterede links