Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRL40SC228

RS-varenummer:: 222-4755
Producentens varenummer:: IRL40SC228
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 557 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRL40SC228

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 151,93

(ekskl. moms)

Kr. 189,91

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 370 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 20	Kr. 30,386	Kr. 151,93
25 - 45	Kr. 25,522	Kr. 127,61
50 - 120	Kr. 23,696	Kr. 118,48
125 - 245	Kr. 22,186	Kr. 110,93
250 +	Kr. 20,66	Kr. 103,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 222-4755
Producentens varenummer:: IRL40SC228
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	557A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	0.65mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	307nC
	Effektafsættelse maks. Pd	416W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	4.83mm
	Bredde	4.83 mm
	Længde	10.54mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 557A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TO-263
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 0.65mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 307nC
	Effektafsættelse maks. Pd 416W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Højde 4.83mm
	Bredde 4.83 mm
	Længde 10.54mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IRL40SC228

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 557A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 40V maksimal drænkildespænding - IRL40SC228

Denne højeffekt-MOSFET er designet til forskellige applikationer, der kræver robust ydeevne og effektivitet. Den har en kompakt D2PAK-7 overflademonteringspakke, der sikrer nem installation i miljøer med begrænset plads. Med en kontinuerlig drain-strøm på 557A og en maksimal drain-source-spænding på 40V måler den 10,54 mm i længden, 9,65 mm i bredden og 4,83 mm i højden.

Egenskaber og fordele

• Optimeret til logikniveau-drev for øget kompatibilitet

• Lav RDS(on) på 0,50mΩ for reduceret effekttab

• Høj strømkapacitet på op til 557A til krævende anvendelser

• Alsidige anvendelser i motordrev og strømforsyninger

Anvendelser

• Velegnet til børstede og BLDC-motordrevne kredsløb

• Ideel til batteridrevne elektroniske systemer

• Anvendes i halv- og helbro-kredsløbstopologier

• Effektiv som synkron ensretter i strømforsyningen

• Bruges i DC-DC- og AC-DC-omformere

Hvad er de vigtigste fordele ved at bruge denne enhed i højstrømsapplikationer?

Enhedens lave on-modstand forbedrer effektiviteten betydeligt, hvilket giver mulighed for højere strømgennemstrømning uden væsentlig varmeudvikling. Dette understøtter pålidelighed og ydeevne i krævende situationer, hvor strømkapacitet er kritisk.

Hvordan klarer denne MOSFET sig under høje temperaturer?

Den fungerer effektivt over et bredt temperaturområde fra -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer stabilitet og funktionalitet selv under ekstreme driftsforhold.

Hvilke funktioner forbedrer denne MOSFET's robusthed under drift?

Forbedret gate- og lavine-robusthed beskytter den mod spændingsspidser, mens dens lave dynamiske dV/dt-kapacitet bidrager til ensartet ydeevne under hurtigt skiftende forhold.