Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 250 A 1200 V Forbedring, AG - 62 MM, FF6MR Nej FF6MR12KM1BOSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 6.549,05

(ekskl. moms)

Kr. 8.186,31

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 28 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 6.549,05
2 - 2Kr. 6.221,56
3 +Kr. 5.959,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4796
Producentens varenummer:
FF6MR12KM1BOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

250A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

AG - 62 MM

Serie

FF6MR

Monteringstype

Chassis

Drain source modstand maks. Rds

5.81mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gennemgangsspænding Vf

5.85V

Effektafsættelse maks. Pd

20mW

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ halvbromodul med Cool SIC™ MOSFET.

Høj strømtæthed

Lave koblingstab

Fremragende gate-oxid-pålidelighed

Højeste robusthed over for fugtighed

Robust integreret husdiode og dermed optimale termiske forhold

Relaterede links