Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 250 A 1200 V Forbedring, AG - 62 MM, FF6MR
- RS-varenummer:
- 222-4796
- Producentens varenummer:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 5.789,15
(ekskl. moms)
Kr. 7.236,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 28 enhed(er) afsendes fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 5.789,15 |
| 2 - 2 | Kr. 5.499,67 |
| 3 + | Kr. 5.268,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4796
- Producentens varenummer:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 250A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | FF6MR | |
| Emballagetype | AG - 62 MM | |
| Monteringstype | Chassis | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.81mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.85V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 250A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie FF6MR | ||
Emballagetype AG - 62 MM | ||
Monteringstype Chassis | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.81mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.85V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ halvbromodul med Cool SIC™ MOSFET.
Høj strømtæthed
Lave koblingstab
Fremragende gate-oxid-pålidelighed
Højeste robusthed over for fugtighed
Robust integreret husdiode og dermed optimale termiske forhold
Relaterede links
- Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt 250 A 1200 V Forbedring FF6MR
- Infineon Type N-Kanal 150 A 1200 V Forbedring FF6MR
- Infineon 600 A 1200 V, AG-PRIME2 2 Chassis
- Infineon 50 A 1200 V, AG-34MM 2 Chassis
- Infineon Type N-Kanal 50 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, EasyDUAL
- Infineon Type N-Kanal 400 A 1200 V Forbedring AG-EASY3B AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 15 A 1200 V Forbedring AG-EASY1B, FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 1200 V Forbedring AG - EASY2B, IAUZ AEC-Q101