Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, IPB60R Nej IPB60R099C7ATMA1
- RS-varenummer:
- 222-4893
- Producentens varenummer:
- IPB60R099C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 78,43
(ekskl. moms)
Kr. 98,038
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 39,215 | Kr. 78,43 |
| 10 - 18 | Kr. 32,575 | Kr. 65,15 |
| 20 - 48 | Kr. 30,555 | Kr. 61,11 |
| 50 - 98 | Kr. 28,575 | Kr. 57,15 |
| 100 + | Kr. 26,29 | Kr. 52,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4893
- Producentens varenummer:
- IPB60R099C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPB60R | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPB60R | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET-serien tilbyder en ∼ 50% reduktion i tab ved slukning (E oss) sammenlignet med CoolMOS™ CP, som giver et fremragende ydelsesniveau i PFC, TTF og andre svært skiftende topologier. IPL60R185C7 er også et perfekt match til tætpakkede ladere.
Reducerede omskiftetabsparametre som f.eks. Q G, C oss, E oss
Klassens bedste figure of merit Q G*R DS(on)
Forøget switching-frekvens
Bedste R (on)*A i verden
Diode med robust hus
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 22 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ C7 IPB60R099C7ATMA1
- Infineon N-Kanal 13 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ C7 IPB60R180C7ATMA1
- Infineon N-Kanal 22 A 700 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R110CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 15 A 700 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R155CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 24 A 650 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R095C7ATMA2
- Infineon N-Kanal 25 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R090CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 38 A 600 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB60R055CFD7ATMA1
- Infineon N-Kanal 50 A 700 V D2PAK (TO-263), CoolMOS™ IPB65R041CFD7ATMA1
